BZW06-5V8 ... BZW06-376B
BZW06-5V8 ... BZW06-376B
Transient Voltage Suppressor Diodes
Spannungs-Begrenzer-Dioden
PPPM = 600W
PM(AV) = 5.0 W
Tjmax = 175°C
VWM = 5.0 ... 376 V
VBR = 6.8 ... 440 V
Version 2020-03-19
~DO-15
~DO-204AC
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Free-wheeling diodes
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
Freilauf-Dioden
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
Features
Uni- and Bidirectional versions
Peak pulse power of 600 W
(10/1000 µs waveform)
Very fast response time
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Uni- und Bidirektionale Versionen
600 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Sehr schnelle Ansprechzeit
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped in ammo pack 4000 Gegurtet in Ammo-Pack
Weight approx. 0.4 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
For bidirectional types (add suffix “B”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “B”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs) PPPM 600 W 3)
Steady state power dissipation – Verlustleistung im Dauerbetrieb TA = 75°C PM(AV) 5 W 4)
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle 60 Hz (8.3 ms) IFSM 100 A 5)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Characteristics Kennwerte
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlass-Spannung
IF = 25 A
Tj = 25°C
VBR ≤ 200 V
VBR > 200 V VF
< 3.0 V 5)
< 6.5 V 5)
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA 45 K/W 4)
Typical thermal resistance junction to lead
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschlussdraht RthL 15 K/W
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
4 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
5 Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø 0.8
±0.05
Ø 3
±0.05
62.5
+0.5
6.3
±0.1
-4.5
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
BZW06-5V8 ... BZW06-376B
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Type
Typ
BZW06-
unidirectional bidirectional
Stand-off
voltage
Sperrspannung
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at / bei VWM
Breakdown voltage at IT = 1 mA
Abbruch-Spannung bei IT = 1 mA
*) at / bei IT = 10 mA
Max. clamping voltage
Max. Begrenzer-Spannung
at / bei IPPM (10/1000 µs)
VWM [V] ID [µA] VBR [V] VC [V] IPPM [A]
5V8
5V8B
5.8
1000
6.8 ± 5%
6.45...7.14 *)
57
6V4
6V4B
6.4
500
7.5 ± 5%
7.13...7.88 *)
53
7V0
7V0B
7.02
200
8.2 ± 5%
7.79...8.61 *)
50
7V8
7V8B
7.78
50
9.1 ± 5%
8.65...9.55
45
8V5
8V5B
8.55
10
10 ± 5%
9.5...10.5
41
9V4
9V4B
9.4
5
11 ± 5%
10.5...11.6
38
10
10B
10.2
5
12 ± 5%
11.4...12.6
36
11
11B
11.1
5
13 ± 5%
12.4...13.7
33
13
13B
12.8
5
15 ± 5%
14.3...15.8
28
14
14B
13.6
5
16 ± 5%
15.2...16.8
27
15
15B
15.3
5
18 ± 5%
17.1...18.9
24
17
17B
17.1
5
20 ± 5%
19.0...21.0
22
19/-Q
19B
18.8
5
22 ± 5%
20.9...23.1
20
20
20B/-Q
20.5
5
24 ± 5%
22.8...25.2
18
23
23B
23.1
5
27 ± 5%
25.7...28.4
16
26
26B
25.6
5
30 ± 5%
28.5...31.5
14.5
28
28B
28.2
5
33 ± 5%
31.4...34.7
13.1
31
31B
30.8
5
36 ± 5%
34.2...37.8
12.0
33
33B
33.3
5
39 ± 5%
37.1...41.0
11.1
37
37B
36.8
5
43 ± 5%
40.9...45.2
10.1
40
40B
40.2
5
47 ± 5%
44.7...49.4
9.3
44
44B/-AQ
43.6
5
51 ± 5%
48.5...53.6
8.6
48
48B
47.8
5
56 ± 5%
53.2...58.8
7.8
53
53B
53.0
5
62 ± 5%
58.9...65.1
7.1
58
58B
58.1
5
68 ± 5%
64.6...71.4
6.5
64
64B
64.1
5
75 ± 5%
71.3...78.8
5.8
70
70B
70.1
5
82 ± 5%
77.9...86.1
5.3
78
78B
77.8
5
91 ± 5%
86.5...95.5
4.8
85
85B
85.8
5
100 ± 5%
95.0...105
4.4
94
94B
94.0
5
110 ± 5%
105...116
3.9
102
102B
102
5
120 ± 5%
114...126
3.6
111
111B
111
5
130 ± 5%
124...137
3.4
128
128B
128
5
150 ± 5%
143...158
2.9
136
136B
136
5
160 ± 5%
152...168
2.7
145
145B
145
5
170 ± 5%
162...179
2.6
154
154B
154
5
180 ± 5%
171...189
2.4
171
171B
171
5
200 ± 5%
190...210
2.2
188
188B
188
5
220 ± 5%
209...231
2.0
213
213B
213
5
250 ± 5%
237...263
1.8
239
239B
239
5
280 ± 5%
266...294
1.7
256
256B
256
5
300 ± 5%
285...315
1.6
273
273B
273
5
320 ± 5%
304...336
1.6
299
299B
299
5
350 ± 5%
332...368
1.6
342
342B
342
5
400 ± 5%
380...420
1.3
376
376B
376
5
440 ± 5%
418...462
1.3
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
BZW06-5V8 ... BZW06-376B
1
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
I
PP
P
PP
100
80
60
40
20
00 1 2 3 4[ms]
[%]
t
P
I /2
PPM
P /2
PPM
t = 10 µs
r
10
10
1
0.1
2
P
PP
0.1µs t 1µs 10µs 100µs 1ms 10ms
P
[kW]
Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form)
Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls)
120
100
80
60
40
20
0
[%]
P
M(AV)
Steady state power dissip. vs. ambient temperature )
Dauer-Verlustleistung in Abh. v. d. Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0