oy & DO 4 (CB 33) Silicon transient voltage suppressor diodes DO 4 Rectangular pulse, tp 10 us, T(yj) 25 OC ; . tet P A kW Diodes de protection au silicium DO 4 RSM 2 Impulsion rectangulaire, ty 10 us, T (yj) 25 OC ViBRit / IRT Vamax Mw (ma) ViBRISM / las! DRT 76 Type (Vv) min (v} (A) Page Tiyj) 25 0C Tiyj) 25 9C *ESM 111-15 11,5 13 300 25 90 357 ESM 111-18 14,5 16 200 30 1 357 ESM 111-22 18 20 200 36,5 60 357 ESM 111-27 21,5 24 200 45 50 387 *ESM 111-33 26 29 100 55 40 357 ESM 111-39 31,5 35 100 65 35 357 ESM 111-47 37,5 42 100 78 28 357 ESM 111-56 45 50 50 93 24 357 ESM 111-68 55 61 50 110 20 357 ESM 111-82 65,5 73 50 136 16 357 ESM 111-100 80 90 30 165 14 357 ESM 111-120 95 105 30 200 11 357 ESM 111-150 116 130 30 250 9 357 ESM 111-180 145 160 20 300 7,5 387 ESM 111-220 180 200 20 365 6 357 ESM 111-270 215 240 20 450 5 357 ESM 111-330 260 290 10 550 4 357 ESM 111-390 315 350 10 650 3,5 357 ESM 111-470 375 420 10 780 2,8 357 * Preferred devices * Dispositifs recommands t Rectangular pulse, tp 300 us, Tiyj) 25 C prior to pulse 1 impuision rectangulaire, ty 300 us, T (yj) 25 C avant impulsion Silicon transient voltage suppressor diodes DO 5 Rectangular pulse, tp 10 us, T(yj) 25 OC Diodes de protection au silicium DOS Prsm 50 kW Impulsion rectangulaire, ty 10 us, Thyj) 25 OC #ESM 112-15 11,5 13 1000 25 150 369 ESM 112-18 145 16 600 30 130 369 ESM 112-22 18 20 600 36,5 100 369 ESM 112-27 215 24 600 45 a5 369 ESM 112-33 26 29 300 55 70 369 ESM 112-39 31,5 35 300 68 60 369 ESM 112-47 37,5 42 300 78 50 369 HESM 112-56 45 50 200 a 40 369 ESM 112-68 55 61 200 110 eT 369 ESM 112-82 65,5 73 200 136 28 369 % Preferred devices *Dispositifs recommands Rectangular pulse, tp 300 ys, Tei) 25 C prior to pulse 1 impulsion rectangulaire, tp 300 us, T(yjj 26 C avant impulsion 98