NPN Silicon Darlington Power
Transistor
The BU323AP is a monolithic darlington transistor designed for
automotive ignition, switching regulator and motor control
applications.
•Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCER(sus) = 475 Vdc
•125 Watts Capability at 50 Volts
•VCE Sat Specified at –
40C = 2.0 V Max. at IC = 6.0 A
•Photoglass Passivation for Reliability and Stability
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Value
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
VCEO(sus)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
400
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
VCEV
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
475
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
6.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
— Peak (Note 1)
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
IC
ICM
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
10
16
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current — Continuous
— Peak (Note 1)
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
IB
IBM
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
3.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation — TC = 25C
— TC = 100C
Derate above 25C
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
125
100
1.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Watts
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction Temperature Range
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
RθJC
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:
1/8″ from Case for 5 Seconds
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
275
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
C
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle 10%.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
January, 2002 – Rev. 11 1Publication Order Number:
BU323AP/D
BU323AP
DARLINGTON
NPN SILICON
POWER TRANSISTOR
400 VOLTS
125 WATTS
CASE 340D–02
TO–218 TYPE
COLLECTOR
EMITTER
BASE
≈1 k ≈30
BU323AP
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Typ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS1
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Figure 1)
L = 10 mH
(IC = 200 mAdc, IB = 0, Vclamp = Rated VCEO)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCEO(sus)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
400
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (Figure 1)
(IC = 3 A, RBE = 100 Ohms, L = 500 µH)
Unclamped
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCER(sus)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
475
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current (Rated VCER, RBE = 100 Ohms)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ICER
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current (Rated VCBO, IE = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ICBO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VEB = 6 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
40
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS1
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(IC = 3 Adc, VCE = 6 Vdc)
(IC = 6 Adc, VCE = 6 Vdc)
(IC = 10 Adc, VCE = 6 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
300
150
50
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
550
350
150
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2000
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 3 Adc, IB = 60 mAdc)
(IC = 6 Adc, IB = 120 mAdc)
(IC = 10 Adc, IB = 300 mAdc
(IC = 6 Adc, IB = 120 mAdc, TC = –40C)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.5
1.7
2.7
2.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 6 Adc, IB = 120 mAdc)
(IC = 10 Adc, IB = 300 mAdc)
(IC = 6 Adc, IB = 120 mAdc, TC = –40C)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VBE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.2
3
2.4
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 10 Adc, VCE = 6 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Diode Forward Voltage (IF = 10 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Vf
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
3.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, ftest = 100 kHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Cob
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
165
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
350
ÎÎÎ
ÎÎÎ
pF
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(VCC = 12 Vdc, IC = 6 Adc,
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ts
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
7.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
15
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(VCC
12
Vdc
,
IC
6
Adc
,
IB1 = IB2 = 0.3 Adc) Fig. 2
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tf
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
5.2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
15
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
FUNCTIONAL TESTS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Second Breakdown Collector Current with
Base–Forward Biased
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
IS/B
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
See
Figure
10
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Pulsed Energy Test (See Figure 12)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IC2L/2
ÎÎÎ
ÎÎÎ
550
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mJ
1Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2%.
BU323AP
http://onsemi.com
3
0 V
t1
20 ms
*
470
≈ 1K ≈ 30
L
47
1N4001
BC337
VCEO VCER
100
BTUT
C
*
E
Vclamp
UNCLAMPED
CLAMPED
* Adjust t1 such that
*IC reaches Required
*value.
VCC = 16 Vdc
ftest = 200 Hz
PULSE WIDTH = 1 ms
≈ 1K ≈ 30
B
TUT
C
E
40
51 100
IB = 0.3 Adc
VCC = 12 Vdc
2 Ω/20 W
IC = 6 Adc
≈ 15 Vdc
0 Vdc
1N4001
Figure 1. Sustaining Voltage Test Circuit Figure 2. Switching Times Test Circuit
BU323AP
http://onsemi.com
4
, COLLECTOR CURRENT (A)µICVCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
2000
0.1
Figure 3. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
20
0.2 0.3 0.5 0.7 1 5 7 10
500
200
100
70
Figure 4. Collector Saturation Region
3
0.002
IB, BASE CURRENT (AMP)
0.5
0.005 0.01 0.02 0.05 0.2 0.5 1 2
2.5
2
1.5
1IC = 0.5 A
TJ = 25°C
3
10 A
700
300
hFE, DC CURRENT GAIN
TJ = 150°C
25°C
50
30
23 0.1
1.7
0.1
Figure 5. Collector–Emitter Saturation Voltage
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
0.2 0.5 1.0 2.0 10
1.6
1.4
1.3
0.5
IC/IB = 50
TJ = 25°C
1.5
Figure 6. Base–Emitter Voltage
1000
VCE = 3 Vdc
VCE = 6 Vdc
6
VCE(sat) , COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE (V)
1.2
1.1
0.9
0.8
1.0
0.7
0.6
5.0
2.2
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
0.2 0.5 1.0 2.0 10
2.1
1.9
1.8
1.0
2.0
1.7
1.6
1.4
1.3
1.5
1.2
1.1
5.0
TJ = 25°C
Figure 7. Turn–Off Switching Time
10
0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.1
0.3 0.5 0.7 1 3 5 20
TJ = 25°C
IC/IB = 20
VCE = 12 Vdc
t, TIME (s)µ
2
7
5
3
2
1
ts
0.7
0.5
0.3
0.2
710
tf
Figure 8. Collector Cutoff Region
104
-0.2
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10-1
0 +0.2
103
102
101
100
+0.4 +0.6 +0.8
REVERSE
VCE = 250 Vdc
TJ = 150°C
IC = ICES
75°C
25°C
TJ = -40°C
TJ = -40°C
VCE(sat), COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE (V)
FORWARD
BU323AP
http://onsemi.com
5
Figure 9. Thermal Response
t, TIME (ms)
1
0.01
0.01
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
0.05 1 2 5 10 20 50 100 200 2000500
RθJC(t) = r(t) RθJC
RθJC = °C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) - TC = P(pk) RθJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
0.2
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.1
0.7
0.3
0.07
0.03
0.02 0.1 0.50.2
(NORMALIZED)
1000
50
5
Figure 10. Forward Bias Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
20
10
5
1
0.005 30 70
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT (SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMIT
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
dc
100 µs
0.2
0.01
10 20
5.0 ms
1.0 ms
100 200 300 500
2
0.1
50
TC = 25°C
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 10 is based on TC = 25C, TJ(pk) is
variable depending on power level. Second breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% but must be
derated when TC ≥ 25C. Second breakdown limitations do
not derate the same as thermal limitations. Allowable
current at the voltages shown on Figure 10 may be found at
any case temperature by using the appropriate curve on
Figure 11.
TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 11. At
high case temperatures, thermal limitations will reduce the
power that can be handled to values less than the limitations
imposed by second breakdown.
100
0
Figure 11. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
80
080 120
POWER DERATING FACTOR (%)
40
20
40 160 200
60 THERMAL
DERATING
SECOND BREAKDOWN
DERATING
Figure 12. Ignition Test Circuit
0 Vdc
t1
50 ms
≈ 1K ≈ 30
B
470
VCC = 16 Vdc
1N4001
BC337
47
VZ
C
E
TUT
2.2
0.22
µF
100
1N4001
<1 11 mH
INDUCTIVE LOAD
t1 to be selected such that IC reaches 10 Adc before switch–off.
NOTE: Figure 12 specifies energy handling capabilities in an automotive ignition circuit.
VZ = 350 V (BU323P)
VZ = 400 V (BU323AP)
at IZ = 20 mA
BU323AP
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 340D–02
TO–218 TYPE
ISSUE E
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
A
D
VG
K
SL
U
BQ
123
4
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
EC
J
H
DIM MIN MAX MIN MAX
INCHESMILLIMETERS
A--- 20.35 --- 0.801
B14.70 15.20 0.579 0.598
C4.70 4.90 0.185 0.193
D1.10 1.30 0.043 0.051
E1.17 1.37 0.046 0.054
G5.40 5.55 0.213 0.219
H2.00 3.00 0.079 0.118
J0.50 0.78 0.020 0.031
K31.00 REF 1.220 REF
L--- 16.20 --- 0.638
Q4.00 4.10 0.158 0.161
S17.80 18.20 0.701 0.717
U4.00 REF 0.157 REF
V1.75 REF 0.069
BU323AP
http://onsemi.com
7
Notes
BU323AP
http://onsemi.com
8
ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes
without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular
purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability,
including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or
death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold
SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable
attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim
alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
BU323AP/D
Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
