IC, nom 225 A
IC325 A
min. typ. max.
- 1,7 2,15 V
- 2,0 t.b.d. V
nF
Eingangskapazität
input capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies 16
- -
gate threshold voltage VGE(th)
VGES
revision: 2.0
Kollektor Emitter Reststrom
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer
kV2,5
A
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL
ICRM
Ptot 1100
Technische Information / technical information
FS225R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
Periodischer Spitzenstrom
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
VCEsat
Charakteristische Werte / characteristic values
approved: SM TM; Wilhelm Rusche
vorläufige Daten
preliminary data
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
date of publication: 2002-10-28
Kollektor Emitter Sättigungsspannung IC= 225A,VGE= 15V, Tvj= 25°C
collector emitter saturation voltage IC= 225A,VGE= 15V, Tvj= 125°C
Gate Schwellenspannung IC= 9mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
VCES
collector emitter voltage 1200 V
Tvj=25° C
repetitive peak forward current
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor Emitter Sperrspannung
Tc= 80°C
Kollektor Dauergleichstrom
Tc= 25°CDC collector current
W
V
gate emitter peak voltage
450
Dauergleichstrom IF225
Tc= 25°C; Transistor
repetitive peak collector current tp= 1ms, Tc= 80°C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
A
DC forward current
+/- 20
10 k A²s
tp= 1ms IFRM 450 A
Grenzlastintegral
5,0 5,8 6,5 V
0,75 - nF
reverse transfer capacitance
Rückwirkungskapazität f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres -
- 400 nA
gate emitter leakage current
Gate Emitter Reststrom VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C IGES -
I²t value I²t
2,1 - µC
gate charge
Gateladung VGE= -15V...+15V QG -
5mA
collector emitter cutt off current VGE= 0V, Tvj= 25°C, VCE= 600V ICES - -
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DB_FS225R12KE3_2.0
2002-10-28
Technische Information / technical information
FS225R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorläufige Daten
preliminary data
min. typ. max.
- 0,25 - µs
- 0,30 - µs
- 0,09 - µs
- 0,10 - µs
- 0,55 - µs
- 0,65 - µs
- 0,13 - µs
- 0,16 - ns
- 1,65 2,15 V
- 1,65 t.b.d. V
- 160 - A
- 200 - A
- 23 - µC
- 43 - µC
- 11 - mJ
- 20 - mJ
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
td,on
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
IC= 225A, VCC= 600V
tr
VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 25°C
VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
VF
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current IRM
Charakteristische Werte / characteristic values
IF= 225A, VGE= 0V, Tvj= 25°C
IF= 225A, VGE= 0V, Tvj= 125°C
IF= 225A, -diF/dt= 2600A/µs
Durchlassspannung
- -
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
mΩ
Charakteristische Werte / characteristic values
IC= 225A, VCC= 600V
VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 25°C
VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C
tf
VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 25°C
VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C
Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
IC= 225A, VCC= 600V
td,off
VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 25°C
VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C
- 15 - mJ
- mJ
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse Eoff
IC= 225A, VCC= 600V, Lσ= 80nH
VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C - 36
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip RCC´/EE´
Tc= 25°C
Diode Wechselrichter / diode inverter
1,1
20 - nH
stray inductance module
Modulinduktivität LσCE -
SC data VCC= 900V, VCEmax= VCES - LσCE ·di/dt
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Kurzschlussverhalten tP ≤ 10µs, VGE ≤ 15V, TVj ≤ 125°C ISC - 900 - A
Qr
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy Erec
IC= 225A, VCC= 600V
Eon
IC= 225A, VCC= 600V, Lσ= 80nH
VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
IF= 225A, -diF/dt= 2600A/µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IF= 225A, -diF/dt= 2600A/µs
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Technische Information / technical information
FS225R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorläufige Daten
preliminary data
min. typ. max.
- - 0,110 K/W
- - 0,190 K/W
10,0 mm
clearance distance
Luftstrecke
12,7 mm
creepage distance
Kriechstrecke
RthCK
Tvj max
Tvj op
Tstg
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
6Nm
terminal connection torque
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse Anschlüsse / terminals M6 M 3 -
Abweichung von R100
R25 -5-
kΩ
Thermische Eigenschaften / thermal properties
-5 - 5
- -
deviation of R100
Verlustleistung
Tc= 100°C, R100= 493Ω∆R/R
Lagertemperatur
storage temperature
pro Modul / per module
λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K
operation temperature
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
Übergangs Wärmewiderstand
6Nm
°C-40 - 125
-
Al2O3
K
Charakteristische Werte / characteristic values
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Nennwiderstand Tc= 25°C
rated resistance
B-value
%
Tc= 25°C P25
K/W
20 mW
power dissipation
B-Wert R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] B25/50 - 3375 -
- 0,005 -
-- °C
maximum junction temperature
Betriebstemperatur -40 - 125 °C
150
Gehäuse, siehe Anlage
internal insulation
225
comperative tracking index
CTI
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung M
mounting torque Schraube / screw M5
Innerer Wärmewiderstand; DC
thermal resistance, junction to case; DC
Transistor Wechelr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter RthJC
910 g
weight G
Gewicht
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
Innere Isolation
case, see appendix
3
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Technische Information / technical information
FS225R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie (typisch) IC= f(VCE)
output characteristic (typical) Tv
j
= 125°C
output characteristic (typical) VGE= 15V
A
usgangs
k
enn
li
n
i
en
f
e
ld
(t
yp
i
sc
h)
IC= f(VCE)
0
75
150
225
300
375
450
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
VCE [V]
IC [A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0
75
150
225
300
375
450
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
IC [A]
VGE=19V
VGE=17V
VGE=15V
VGE=13V
VGE=11V
VGE=9V
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Technische Information / technical information
FS225R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorläufige Daten
preliminary data
Übertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)
IC= f(VGE)
VCE= 20V
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) IF= f(VF)
forward caracteristic of inverse diode (typical)
0
75
150
225
300
375
450
5678910111213
VGE [V]
IC [A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0
75
150
225
300
375
450
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
IF [A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
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Technische Information / technical information
FS225R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorläufige Daten
preliminary data
VGE=±15V, IC=225A, VCE=600V, Tvj=125°C
S
c
h
a
lt
ver
l
us
t
e
(t
yp
i
sc
h)
Switching losses (typical)
Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
VGE=±15V, RG=3,3Ω, VCE=600V, Tvj=125°C
S
c
h
a
lt
ver
l
us
t
e
(t
yp
i
sc
h)
Switching losses (typical)
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0 75 150 225 300 375 450
IC [A]
E [mJ]
Eon
Eoff
Erec
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0 4 8 121620242832
RG [Ω]
E [mJ]
Eon
Eoff
Erec
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Technische Information / technical information
FS225R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorläufige Daten
preliminary data
1,187E-05
34
2,08
1,187E-05
3,5910,79
6,36
2,364E-03
6,499E-02
2
55,37
2,601E-02
95,8
2,601E-02
1
46,19
6,499E-02
79,82
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE=±15V, Tvj=125°C
i
ri [K/kW] : IGBT
τi [s] : IGBT
ri [K/kW] : Diode
τi [s] : Diode 2,364E-03
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
ZthJC = f (t)
0,001
0,01
0,1
1
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]
ZthJC [K/W]
Zth : IGBT
Zth : Diode
IC,Chip
0
75
150
225
300
375
450
525
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
VCE [V]
IC [A]
IC,Chip
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Technische Information / technical information
FS225R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorläufige Daten
preliminary data
Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
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