BAS70 BAS70 Surface Mount Schottky Barrier Single/Dual Diodes Schottky-Barrier Einzel-/Doppel-Dioden fur die Oberflachenmontage Version 2010-01-18 1.1 2.9 0.1 0.4 1 1.30.1 2.5 max 3 Type Code 2 Power dissipation - Verlustleistung 310 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 70 V Plastic case Kunststoffgehause SOT-23 (TO-236) Weight approx. - Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehausematerial UL94V-0 klassifiziert 1.9 Dimensions - Mae [mm] Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25C) Grenzwerte (TA = 25C) per diode / pro Diode BAS70-series Power dissipation - Verlustleistung 1) Ptot 310 mW 2) Max. average forward current - Dauergrenzstrom (dc) IFAV 200 mA 2) Repetitive peak forward current - Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 2) IFSM 600 mA VRRM 70 V Tj TS -55...+150C -55...+150C Non repetitive peak forward surge current Stostrom-Grenzwert tp 1 s Repetitive peak reverse voltage - Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25C) Kennwerte (Tj = 25C) Forward voltage Durchlass-Spannung IF = 1 mA IF = 15 mA VF VF < 410 mV < 1000 mV Leakage current - Sperrstrom 3) VR = 50 V IR < 100 nA Max. junction capacitance - Max. Sperrschichtkapazitat VR = 0 V, f = 1 MHz CT 2 pF Reverse recovery time - Sperrverzug IF = 10 mA uber/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 5 ns RthA < 400 K/W 2) Thermal resistance junction to ambient air Warmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft 1 2 3 Total power dissipation of both diodes - Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% - Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhaltnis 2% (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAS70 Pinning - Anschlussbelegung 3 1 Single diode einzelne Diode 1=A 2 3 1 1 = A1 3 3=C 2 = C2 BAS70-04 = 74 3 = C1/A2 Dual diode, common cathode Doppeldiode, gemeinsame Kathode 1 = A1 2 3 1 2 = n.c. BAS70 = 73 Dual diode, series connection Doppeldiode, Reihenschaltung 2 1 Marking - Stempelung BAS70-05 = 75 2 = A2 3 = C1/C2 Dual diode, common anode Doppeldiode, gemeinsame Anode 1 = C1 2 2 = C2 BAS70-06 = 76 3 = A1/A2 1 120 [%] [A] 100 10-1 80 -2 10 60 40 10 -3 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [C] 10-4 1 1 1 2 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) Tj = 25C 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG