SH
Puls Power Diode
Pulse Power Diode
Datenblatt / Data sheet
D 2601NH
1/5
Seite/page
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Tvj = 0°C... Tvj max V
RRM
9000 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
FRMSM 2700 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85°C, f=50Hz
TC = 60°C, f=50Hz
IFAVM 1400
1720
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFSM 23000
22000
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t 2645
2420
10³ A²s
10³ A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage
failure rate λ < 100
VR(D) estimate
value
4100 V
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 4000A
vF
typ.
max.
5,07
5,5
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max V
(TO) typ.
max.
1,11
1,2
V
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max r
T typ.
max.
0,99
1,07
mΩ
mΩ
A 0,702619
B 6,269E-4
C -0,082838
typ.
D 0,040292
A 0,722379
B 6,9108E-4
C -0,080219
Durchlaßkennlinie 1500A ≤ iF ≤ 4000A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
max.
D 0,04219
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max, vR = VRRM i
R max. 150 mA
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr max. 12000 µAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IRM max. 2000 A
Ausschaltverlust Energie
turn-off energy
Tvj = Tvjmax
IFM = 2500A, -di/dt = 1000A/µs,
VR = 2200V, tint = 18µs,
R = 12Ω, C = 1µF
E
off max. 25 Ws
prepared by: C. Schneider date of publication: 2003-10-24
approved by: R. Keller revision: 4
T
TTF iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(
SH
Puls Power Diode
Pulse Power Diode
Datenblatt / Data sheet
D 2601NH
2/5
Seite/page
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
0,00827
0,0075
0,0133
0,0172
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
max.
max.
0,0025
0,0050
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max 140 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op 0...+140 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
76DNH90
Anpresskraft
clamping force
F 36...52 kN
Gewicht
weight
G typ. 1350 g
Kriechstrecke
creepage distance
30 mm
Luftstrecke
air distance
20 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040 C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz 50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
SH
Puls Power Diode
Pulse Power Diode
Datenblatt / Data sheet
D 2601NH
3/5
Seite/page
Maßbild
12
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
SH
Puls Power Diode
Pulse Power Diode
Datenblatt / Data sheet
D 2601NH
4/5
Seite/page
R,t – Werte
R
R,T-Werte
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
Rthn [°C/W] 0,00295 0,002 0,00154 0,00098 0,00003
beidseitig
two-sided τn [s] 0,78008 0,13092 0,02165 0,00514 0,00104
Rthn [°C/W] 0,00804 0,00081 0,00239 0,0016 0,00046
anodenseitg
anode-sided τn [s] 5,11029 0,35916 0,09623 0,01197 0,00332
Rthn [°C/W] 0,0121 0,0004 0,00244 0,00155 0,00071
kathodenseitig
cathode-sided τn [s] 4,97289 0,48885 0,12071 0,01530 0,00427
Analytische Funktion / Analytical function: Σ−
=
τ
max
n
n=1 thnthJC n
-t
e1RZ
0
0,005
0,01
0,015
0,02
0,025
0,03
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]
Zth JC [K/W]
c
a
d
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
SH
Puls Power Diode
Pulse Power Diode
Datenblatt / Data sheet
D 2601NH
5/5
Seite/page
Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
0123456
vF [V]
iF [V]
typ. max.
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
Terms & Conditions of Usage
Attention
The present product data is exclusively subscribed to technically experienced
staff. This Data Sheet is describing the specification of the products for which a
warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply
agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its
specifications. Changes to the Data Sheet are reserved.
You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the
product for the intended application and the completeness of the product data
with respect to such application. Should you require product information in
excess of the data given in the Data Sheet, please contact your local Sales Office
via “www.eupec.com / sales & contact”.
Warning
Due to technical requirements the products may contain dangerous substances.
For information on the types in question please contact your local Sales Office via
“www.eupec.com / sales & contact”.
