Transistors NPN silicium Homobase NPW silicon transistors Homobase * 2N 3054 * BDY 71 - Amplification BF grands signaux de puissance LF large signal power amplification - Communion fort courant High current switching Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation Prot {w) 30 2% Dispositif recommand Pretered device Donnes principales Principal features ic 4A Prot 29 W Reh (j-c) 6C/W max. hoe 25 - 100 2N 3054 (0,5 A) {80 - 200 BDY 71 fy 0,8 MHz min, Boitier TO-66 TN Case | 20 { NN 1 N 10 IN la qa es p= 0 \ | B 0 50 loo 150 200 tease (C) Le collecteur est reli au boitier Collector is connected to case Valeurs limites absolues d'utilisation 4 teage = 25C Absolute ratings (limiting values) Paramdtre : 2N.3054 BDY 71 Tension collecteur-base Collector-base voltage Vcso 90 90 Vv Vee =-1.5V Voex 90 90 Tension collecteur-metteur{R,- = 100 2 Collector-emitter voltage BE Vcer 60 60 Vv Vceo 55 55 Tension metteur-base Emitter-base voltage VEBO 7 7 Vv Courant collecteur Collector current Ic 4 4 A Courant base Base current 'p 2 2 A Dissipation de puissance Power dissipation Prot 29 29 Ww | Temprature de jonction Junction temporsture max. qj 200 200 c Temprature de stockage min. t - 65 65 oc Storage temperature max. stg +200 +200 Seomsenn 1970-03 1/3 2N 3054 * BDY 71 * Caractristiques gnrales a tease = 25C General characteristics ( Sauf indications contraires) {Unless otherwise specified} Caractristiques statiques Static characteristics Paramtre Conditions de measure | Min, [ Typ. | Wax. Parameter Test conditions : / Mie. beTyp | Max. Vee =-15V Veg =90V ' Courant rsiduel collecteur-metteur Var =-l5V 1 Collector-emitter cut-off current BE , CEX mA Vee =30 V 5 tease 150 C R = 100 2 BE * ; 1. =100 mA ViBRICER| 60 Tension de claquage collecteur-metteur c Vv Collector-emitter breakdown voltage Ip =0 * Ig =100mA ViBRICEO] 55 . 1 =0 Tension de claquage metteur-base c Emitter-base Disakiown voltage le = mA ViBRIEBO! 7 Vv 4 25 Valeur statique du rapport du transfert to = OSA 2N 305 100 direct du courant er rats Vac = 4V Note Static forward current transfer ratio cE BDY 71 80 200 : 1 = OSA Tension base-metteur Cc Base-emitter voltage Voce = AV Vee 1,7 Vv Tension de saturation collecteur-metteur Io = O5A Vv Vv Collector-emitter saturation voltage ip = 0.05A CEsat 1 *mpulsions tt =300us 5 < 2% Pulsed Pp Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Oynamic characteristics (for sma! signals} sas I = 02A Frquence de transition c ' Feauence frequency VcE =10V fy 0,8 MHz Caractristiques thermiques Thermal characteristics Rsistance thermique, jonction-boitier . Thermal resistance, junction to case Reh {j-c) 6 oc/w 2/3 * 2N 3054 * BDY 71 2N 3054 Aire de fonctionnement de scurit Safe operating area Ig (A) 0,5 Continu Continuous 0,2 L_Impulsion Pulsed 0,1 1 2 5 10 20 5060 Vog (V) 3/3