TO 126 (CB 150) ViBRIT / leer Vmax (v) (mA) ViBR)SM / Insm* ORT 76 Type iv) min (Vv) (A) Page Tyyj) 25 OC Tiyj} 25C ESM 112-100 80 90 100 165 23 369 ESM 112-120 95 105 100 200 19 369 ESM 112-150 115 130 100 250 15 369 ESM 112-180 145 160 60 300 13 369 ESM 112-220 180 200 60 365 10 369 ESM 112-270 215 240 60 450 8,5 369 ESM 112-330 260 290 30 550 7 369 ESM 112-390 315 350 30 650 6 369 ESM 112-470 375 420 30 780 3 369 * Preferred devices * Dispositifs recommands Rectangular pulse, tp 300 us, Tivj) 25C priorto pulse ' imputsion rectangulaire, ty 300 us, Tiyj) 25 C avant impulsion Silicon transient voltage suppressor diodes TO 126 P akW Rectangular pulse, tp 10 us, T(yj) 25 OC Diodes de protection au silicium TO 126 RSM impulsion rectangulaire, tp 10 us, Tfyj} 25 C HESM 233-15 14,5 13 200 25 22 381 ESM 233-18 14,5 16 120 30 18 381 ESM 233-22 18 20 120 36,5 15 381 ESM 233-27 21,5 24 120 45 12 381 ESM 233-33 26 23 60 55 10 381 ESM 233-39 31,5 35 60 65 85 381 ESM 233-47 37,5 42 60 78 7 381 ESM 233-56 45 50 40 93 6 381 ESM 233-68 55 61 40 110 5 381 ESM 233-82 65,5 73 40 136 4 331 ESM 233-100 80 30 20 165 3,3 381 ESM 233-120 95 105 20 200 2,7 381 ESM 233-150 115 130 20 250 2,2 381 ESM 233-180 145 160 12 300 1,8 381 ESM 233-220 180 200 12 365 1,5 381 *ESM 233-270 215 240 12 450 1,2 381 ESM 233- 330 260 290 6 550 1 381 ESM 233-390 315 350 6 650 0,85 381 ESM 233-470 375 420 6 780 0,7 331 * Preferred devices * Dispositifs recommands Rectangular pulse, tp 300 us, Tiyj} 25 OC prior to pulse ! Impulsion rectangulaire, to 300 us, Thy, p25 C avant impulsion 99