Doubles transistors NPN silicium Pianar pitaxiaux Dual NPWN silicon transistors Epitaxial planar 2N 997 2N 998 2N 999 - Amplificateurs DARLINGTON DARLINGTON amplifiers - Amplification BF a trs grand gain Very high-gain LF amplification 2 Dispositif recommand Pretered device Donnes principales Principal features Dissipation de puissance maximaie Maximum power dissipation Vv 40 V 2N 997 Fs CEO j6ov 2N 998 - 2N 999 15 Bs % ho1E 7000-70 000 2N 997 - 2N 999 Ge, (100 mA) TTT SARS hg1 -1600- 8000 2N 998 It 59> Xb, (10 mA) Os . o~L tamb(C) (1) Boitiers o 50 100 )=-150 200 tease (C) (2) ses TO-18 T0-72 3 , 28 Oh & 3-C, Cy (reli au boltier) 2 ( (connected to case} / i! 4- E, By (2N 998 - 2N 999} 2 2N 997 2N 998 -2N 999 Valeurs limites absolues d'utilisation 4 tamby= 25C Absolute ratings (limiting values) (Sauf indications contraires ) (Unless otherwise specitied) Pesmur 2N. 997 2N 998 2N 999 Tension collecteur-base Collector-base voltage Vepo 75 100 60 v Tension collecteur-metteur Collector-emitter voltage VcEeo 40 60 60 Vv Tension metteur-base Emitter-base voltage VeBo 7 15 15 v Courant collecteur Collector current lo 0,3 0,5 0,5 A Courant base Base current 'p 50 50 50 mA Dissipation de puissance tamb = 25C (1) P 0,5 05 0,5 W P dissipati tot ower dissipation tease = 25 c (2) oO 1,5 1,8 1,8 Temprature de jonction Junction temperature max. yj 200 200 200 c Temprature de stockage min t 65 ~ 65 65 C Storage temperature max stg +200 +200 +200 1970-10 1/3 at Sem senn2N 997 2N 998 2N 999 Caractristiques gnrales 4 tamb = 25C General characteristics ( Sauf indications contraires) (Untess otherwise specified) Caractristiques statiques Static characteristics le 2N 997 Courant rsiduel collecteur-base Vcp=60 2N 999 1 10 A Collector-base cut-off current Iz =0 CBO n 2N 998 Vp =90 V t =0 E 2N 997 Vg =60 V 10 Courant rsiduel collecteur-base t =150C 2N 999 amb a haute temprature bn uA High temperature collector-base le =0 CBO cut-off current Van =90 V cB 2N 998 15 tamb= 150C te =0 Vic =5V 2N 997 Courant rsiduel metteur-base EB I. 10 | na Emitter-base cut-off current IG =0 2N 998 EBO Vep=l0V 2N 999 lp =0 2N 997 75 ension de claquage collecteur-base ~ Collector-base breakdown voltage \o =100 nA 2N 998 V(BRICBO 100 Vv 2N 999 60 I. <0 2N 997 | 40 Tension de claquage collecteur-metteur BB m Collector-emitter breakdown voltage ! =30mA ON oe V(BRICEO 60 Vv 9 1 0 2N 997 7 Tension de claquage metteur-base c * Emitter-base breabjown voltage le =100 vA 2N 998 V(BRYEBO 15 v 2N 999 i =0,1 mA c , 2N 997 Vee =10V 2N 999 1000 CE i =10mA c 2N 997 Vog =10V 2noo9 | 4000 Io =1mA 3 21E Valeur statique du rapport du transfert Voge =5 V 2N 99) 800 direct du courant 1 10 mA Static forward current transfer ratio c * VoE =5V 2N 998 1600 8000 | =100 mA o000 Cc 2N 997 Vee =10V 2N 999 7000 ? h * le =100mA 21 Veg =5V 2N 998 2000 * Impulsions ty = 300us 5 < 2% Pulsed 2/32N 997 2N 998 2N 999 Caractristiques gnrales @ tamh = 25C General characteristics (Sauf indications contraires ) (Untess otherwise specified) Caractristiques statiques Static characteristics | =100 mA Valeur statique du rapport du transfert c 2N 997 direct du courant Veg =10V howe 1000 Static forward current transfer ratio tamb= 55C 2N 999 , lq =10mA Valeur statique du rapport du transfert Vac =5V 2N 998 direct du courant de chaque transistor CE h 25 Static forward current transfer ratio for I =10 mA 21E each transistor c 2N 999 Veg =10V . I =100 mA Tension base-metteur c Base-emitter voltage Voce =10V 2N 997 Vee 0,9 1,8 v Io =100 mA 2N 997 16 Tension de saturation collecteur-metteur \g_=imA 2N 999 Vac V Collector-emitter saturation voltage Ic =50 mA CEsat Ig =0,5 mA 2N 998 1,2 Io =50mA i, =05ma_ | 2N 998 Tension de saturation base-metteur Bo Vee 18 V Base-emitter saturation voltage I =100 mA BEsat " cy 2N 999 B =imA Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for smalt signals) R d fert direct d ic =tmA apport de transfert direct du courant Forward current transfer ratio Voce =5V 2N 998 hg te 1000 f =1kHz c it d ; Vop=l0V 2N 997 35 apacit de sortie Cutout capacitance le =0 2N 998 C06 30 pF f =1MHz 2N 999 20 . Veg =0,5 V 2N 998 50 Capacit dentre lo =0 c, tb pF I A naput capacitance t =1 MHz 2N 999 10 Io =0,1mA , Veg =l0Vv Facteur de bruit R. =5 kQ 2N 998 FE 6 dB Noise figure G f o=1kHz Af =200 Hz 3/3