P6SMB220 ... P6SMB550CA
P6SMB220 ... P6SMB550CA
Surface mount unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes
Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2013-05-22
Dimensions - Maße [mm]
Peak pulse power dissipation
Impuls-Verlustleistung
600 W
Nominal breakdown voltage
Nominale Abbruch-Spannung
220...550 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ SMB
~ DO-214AA
Weight approx. – Gewicht ca. 0.1 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rollen
For bidirectional types, suppressor characteristics apply in both directions; add suffix “C” or “CA”.
Für bidirektionale Dioden gelten die Begrenzer-Eigenschaften in beiden Richtungen;
es ist das Suffix “C” oder “CA” zu ergänzen.
TVS diodes having stand-off voltage VWM = 5.0 ... 170 V:
please refer to datasheet P6SMBJ5.0 ... 170CA
TVS-Dioden mit Sperrspannung VWM = 5.0 ... 170 V:
siehe Datenblatt P6SMBJ5.0 ... 170CA
Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
TA = 25°C PPPM 600 W 1)
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
TT = 75°C PM(AV) 5 W
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 100 A 2)
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlass-Spannung
IF = 25 A VF< 3.0 V 2)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 45 K/W 3)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthT < 15 K/W
1 Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
2 Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
3 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
1.1
2.2
± 0.2
Type
Typ
2.1
± 0.1
3.7
± 0.3
2
4.6
± 0.5
5.4
± 0.5
0.15
P6SMB220 ... P6SMB550CA
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Breakdown voltage at IT = 1 mA
Abbruch-Spannung bei IT = 1 mA
Stand-off voltage
Sperrspannung
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at / bei VWM
Max. clamping voltage
Max. Begrenzer-Spannung
at / bei IPPM (10/1000 µs)
bidir. = C / CA VBR [V] VWM [V] ID [µA] VC [V] IPPM [A]
P6SMBJ5.0 ... P6SMBJ170CA → VBR = 7.2 ... 200V
P6SMB220 220 ± 10% 198...242 175 5 344 1.7
P6SMB220A 220 ± 5% 209...231 185 5 328 1.8
P6SMB250 250 ± 10% 225...275 202 5 360 1.7
P6SMB250A 250 ± 5% 237...263 214 5 344 1.7
P6SMB300 300 ± 10% 270...330 243 5 430 1.4
P6SMB300A 300 ± 5% 285...315 256 5 414 1.4
P6SMB350 350 ± 10% 315...385 284 5 504 1.2
P6SMB350A 350 ± 5% 332...368 300 5 482 1.2
P6SMB400 400 ± 10% 360...440 324 5 574 1.0
P6SMB400A 400 ± 5% 380...420 342 5 548 1.1
P6SMB440 440 ± 10% 396...484 356 5 631 1.0
P6SMB440A 440 ± 5% 418...462 376 5 602 1.0
P6SMB480 480 ± 10% 432...528 388 5 686 0.87
P6SMB480A 480 ± 5% 456...504 408 5 658 0.91
P6SMB530 530 ± 10% 477...583 429 5 764 0.79
P6SMB530A 530 ± 5% 503...556 477 5 729 0.82
P6SMB550 550 ± 10% 495...605 445 5 793 0.76
P6SMB550A 550 ± 5% 522...577 495 5 760 0.79
TVS diodes having stand-off voltage VWM = 5.0 ... 170 V:
please refer to datasheet P6SMBJ5.0 ... 170CA
TVS-Dioden mit Sperrspannung VWM = 5.0 ... 170 V:
siehe Datenblatt P6SMBJ5.0 ... 170CA
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
P6SMB220 ... P6SMB550CA
1
1 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3
120
100
80
60
40
20
0
[%]
P
PP
[°C]T
A
150100
50
0
I
PP
Peak pulse power/current vs. ambient temperature )
Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp. )
1
1
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
I
PP
P
PP
100
80
60
40
20
0
0 1 2 3 4[ms]
[%]
t
P
I /2
PPM
P /2
PPM
t = 10 µs
r
10
10
1
0.1
2
P
PP
0.1µs t 1µs 10µs 100µs 1ms 10ms
P
[kW]
Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form)
Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls)
[pF]
[V]
C
j
V
Z
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)
unidir.
bidir.
