Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode T vj = - 40C...Tvj max Periodische Spitzensperrspannung VR R M 1600 V 80 A repetitive peak reverse voltage Durchlastrom-Grenzeffektivwert (pro Element) IFRMSM RMS forward current (per chip) T C = 100C Id 134 A Stostrom-Grenzwert T vj = 25C, tp = 10ms IFSM 650 A surge forward current T vj = T vj max, t p = 10ms 550 A Grenzlastintegral T vj = 25C, tp = 10ms It-value T vj = T vj max, t p = 10ms Ausgangsstrom output current It 2100 As 1500 As 1200 V 70 A IGBT Kollektor-Emitter-Sperrspannung V CES collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T C = 80C IC t p = 1ms, T C = 80C IC R M 150 A T C = 25C P tot 500 W V GE 20 V VR R M 1200 V DC-collector current Periodischer Kollektor-Spitzenstrom repetitive peak collektor current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Schnelle Diode / Fast diode Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage T C = 80C IF 35 A t p = 1ms IFRM 70 A Isolations-Prufspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min V ISOL 2,5 kV insulation test voltage NTC connected to baseplate Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Modul Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode min. Durchlaspannung typ. max. T vj = T vj max, iF = 100A vF 1,35 V T vj = T vj max V (TO) 0,75 V T vj = T vj max rT 6,3 m T vj = T vj max, vR = VRRM iR 5 mA T C = 25C RAA+KK 1 m forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand forward slope resistance Sperrstrom reverse current Modul Leitungswiderstand, Anschlusse-Chip lead resistance, terminals-chip prepared by: Ralf Jorke date of publication: 13.12.2000 approved by: Lothar Kleber revision: 1 BIP AM; R. Jorke 19. Dez 00 A 34/00 Seite/page 1(12) Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values IGBT min. typ. max. vCE sat Kollektor-Emitter Sattigungsspannung collector-emitter saturation voltage Tvj = 25C, iC = 70A, vGE = 15V 2,05 2,75 2,40 Gate-Emitter-Schwellspannung gate-emitter threshold voltage Tvj = 25C, iC = 3mA, vGE = vCE vGE(TO) Tvj = 25C, f0 = 1MHz, Cies 5,1 nF iCES 10 500 500 A Tvj = 125C, iC = 70A, vGE = 15V Eingangskapazitat input capacitance 4,5 5,5 6,5 V V vCE = 25V, vGE = 0V Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Tvj = 25C, vCE = 1200V, vGE = 0V Gate-Emitter Reststrom gate leakage current Tvj = 25C, vCE = 0V, vGE = 20V iGES 400 nA Emitter-Gate Reststrom gate-leakage current Tvj = 25C, vCE = 0V, vEG = 20V iEGS 400 nA Durchlaspannung forward voltage Tvj = 25C, iF = 35A vF Sperrverzogerungsladung recovered charge iFM = 35A, -di/dt = 900A/s, vR = 600V Tvj = 125C, vCE = 1200V, vGE = 0V Schnelle Diode / Fast diode Tvj = 125C, iF = 35A 1,85 2,40 1,75 V Qr 3,6 7,6 Tvj = 25C Tvj = 125C As As Thermische Eigenschaften / Thermal properties Gleichrichter / Rectifier, = 120rect Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case RthJC max. 0,70 max. 0,25 max. 0,80 C/W C/W C/W RthCK max. 0,25 max. 0,16 max. 0,24 C/W C/W C/W Transistor / Transistor, DC Schnelle Diode / Fast diode, DC Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Gleichrichter / Rectifier Transistor / Transistor Schnelle Diode / Fast diode Hochstzulassige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature BIP AM; R. Jorke 19. Dez 00 150 C Tc op - 40...+150 C Tstg - 40...+150 C Seite/page 2(12) Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Seite 4 page 4 Al2O3 Innere Isolation internal insulation CTI comperative tracking index 225 Anzugsdrehmoment fur mechanische Befestigung mounting torque Toleranz / tolerance 15% Gewicht weight M1 G 4 typ. Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance V Nm 185 g 12,5 mm 50 m/s f = 50Hz Temperatursensor / Temperature sensor Nennwiderstand rated resistance TC = 25C R25 5 k 20 mW R100 = 493 5% Verlustleistung power dissipation TC = 25C P25 B-Wert B-value R2 = R1 exp [B(1/T1 - 1/T2)] B25/50 max. 3375 K Kuhlkorper / heatsinks : Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen Technischen Erlauterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AM; R. Jorke 19. Dez 00 Seite/page 3(12) Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT BIP AM; R. Jorke DD B6U 134 N 16 RR 19. Dez 00 N Seite/page 4(12) B6 Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N Analytische Elemente des transienten Warmewiderstandes ZthJC fur DC, Netz-Diode Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC, rectifier diode Pos. n 1 2 3 4 R thn [ C / W ] 0,2633 0,1967 0,0322 0,0200 n [s] 0,0300 0,0190 0,0140 0,0003 t - = Rthn 1 - e n n =1 nmax Analytische Funktion: BIP AM; R. Jorke Z thJC 19. Dez 00 5 6 7 Seite/page 5(12) B6 Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 200 180 Tvj = 150C 160 140 iF [A] 120 100 80 60 40 20 0 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 v F [V] Grenzdurchlakennlinie / Limiting on-state characteristic i F = f(vF) BIP AM; R. Jorke 19. Dez 00 Seite/page 6(12) 2 Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N 150 140 130 120 110 TC [C] 100 90 80 70 60 50 40 B2: 180sin B6: 120rect 30 20 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 Id [A] Hochstzulassige Gehausetemperatur / Maximum allowable case temperatur TC = f(Id) Parameter: Stromrichterschaltung / converter circuit BIP AM; R. Jorke 19. Dez 00 Seite/page 7(12) B6 Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 1000 200A 50A Qr [As] 20A 100 5A 10 1 10 100 - di/dt [A/s] Sperrverzogerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj = Tvjmax; vR = 0,5VRRM; vRM = 0,8VRRM Parameter: Durchlastrom / On-state current i FM BIP AM; R. Jorke 19. Dez 00 Seite/page 8(12) Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 0,90 0,80 60 rect 0,70 120 rect 180 rect 180 sin ZthJC [C/W] 0,60 DC 0,50 0,40 0,30 0,20 0,10 0,00 0,001 0,01 0,1 1 t [s] Transienter innerer Warmewiderstand Gleichrichter / Transient thermal impedance converter ZthJC = f(t) Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle BIP AM; R. Jorke 19. Dez 00 Seite/page 9(12) Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 150 125 Tvj = 25C Tvj = 125C iC [A] 100 75 50 25 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 v CE [V] Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) / Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical) vGE = 15V, iC = f(vCE) BIP AM; R. Jorke 19. Dez 00 Seite/page 10(12) 4 Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 50 40 Tvj = 125C Tvj = 25C iF [A] 30 20 10 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 v F [V] Durchlakennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) / On-state characteristic of brake-chopper-FWD (typical) iF = f(vF) BIP AM; R. Jorke 19. Dez 00 Seite/page 11(12) Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 100 R [k ] 10 1 0,1 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 T [C] NTC-Temperaturkennlinie (typisch) / NTC-temperature characteristic (typical) R = f(T) BIP AM; R. Jorke 19. Dez 00 Seite/page 12(12) Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlielich fur technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes fur die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollstandigkeit der bereitgestellten Produktdaten fur diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, fur die wir eine liefervertragliche Gewahrleistung ubernehmen. Eine solche Gewahrleistung richtet sich ausschlielich nach Magabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden fur das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls ubernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benotigen, die uber den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Fur Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen konnte unser Produkt gesundheitsgefahrdende Substanzen enthalten. Bei Ruckfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefahrdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir fur diese Falle - die gemeinsame Durchfuhrung eines Risiko- und Qualitatsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitatssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einfuhrung von Manahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Manahmen abhangig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Anderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.