NPN SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL PLANAR 2N 2243, A TRANSISTOR NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAL - HF amplification Amplification HF - Switching Commutation Maximum power dissipation Dissipation de puissance maximale P tot VcBo 120 V hoye(150mA) 40 - 120 VeEsat 0,35 V max 2N 2243 (150 mA/15 mA) (0,25 V max 2N 2243 A Case TO-39 See outline drawing CB-7 on last pages Boitier Voir dessin cot CB-7 dernires pages (Ww) 0,8 0,4 B 0,2 o T_.(} Weight : 0,9 g. Collector is connected to case 50 100 150 200 amb! Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) Tamb =+25 C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION (Sauf indications contraires) Collector-base voitage V Tension collecteur-base cBo 120 v Collector-emitter voltage Tension collecteur-metteur VcEo 80 v Emitter-base voltage Vv Tension metteur-base EBO 7 v Collector current Courent collecteur ve 1 A Power dissipation Tamb = 25C Prot 08 w Dissipation de puissance Tease = 25C 28 Ww Junction temperature T Temprature de jonction max j 200 c Storage temperature min, To 65 c Temprature de stockage max. stg +200 C 76-20 1/4 THOMSON-CSF SeSswseem2N 2243, 2N 2243 A STATIC CHARACTERISTICS T =25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES amb (Sauf indications contraires} Test conditions . Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vag = 60V 08 10 nA E Collector-base cut-off current | Courant rsiduel collecteur-buse CBO Veg = 60V le = 15 BA Tamb 150C Emitter-base cut-off current Veg =5V Courant rsiduel metteur-base | c = eso 50 nA I = 100 pA * Collector-base breakdown voltage c Vv Tension de claquage collecteur-base lp = (BR)CBO 120 Vv Collector-emitter breakdown voltage in =25mA V a Tension de claquage colfecteur-metteur ic = (BR}CEO 80 Vv Emitter-base breakdown voltage I = 100 pA Vv Tension de claquage metteur-bese ie a (BR)EBO 7 Vv Vee = 10V cE Ig =0,1mA 16 Voge = 10V CE h Io =10mA 21E 30 Static forward current transfer ratio Valeur statique du rapport de transfert direct du courant Vog = 10V Ie = 10mA 20 . Tamb= ~85C Vee =10V CE * Io =150mA | - N21E 40 120 * Pulsed t, =300uS 6 <2% impulsions 2/4 1842N 2243, 2N 2243 A STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb =25C (Unless otherwise stated) {Saut indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. VcE =10V 46 lo = 600 mA Static forward current transfer ratio h * Valeur statique du rapport de transfert 27E direct du courant Vv =1V CE Io = 180mA 30 Collector-emitter saturation voltage Ic = 150 mA VoEsa t 2N 2243 0,35 Vv Tension de saturation collecteur-metteur Ig =15mA 2N 2243A 0,25 Vv ., . ( = 150 mA Base-emitter saturation voltage c Tension de saturation base-metteur Ip =15mA VBEsat 1,3 v DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES Vee =10V Forward current transfer ratio ! cE h Rapport de transfert direct du courant Cc = 50 mA 21e 2,5 f = 20 MHz Vap =10V Output capacitance cB c. Capacit de sortie t a 22b 15 pF f =1MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-ambient thermal resistance : Rsistance thermique (jonction-ambiante) Reh(j-a) 220 C/W Junction-case thermal resistance . Rsistance thermique (jonction-boitier) Rthij-c) 58 cw * Pulsed En impulsions 3/4 1852N 2243, 2N 2243 A STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES (mA) (mA) 80 400 60 300 40 200 20 100 0 10 2 30 40 Vee_tv) 0 1 2 3 4 Vogtv) 21E 50C \ 150 Y 100C 8 ne NX Pn pe ae 100 f 75 V NX 3 i & | sc_| \ 25 4/4