FIELD EFFECT TRANSISTORS, SILICON, N CHANNEL 2N 38 21 TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP, SILICIUM, CANAL N 2N 382 2 2N3823 05-25 mA 2N 3821 HF amplification IDss 2-10mA 2N 3822 Amplitication HF 4-20 mA 2N 3823 1,5-4,5 mS 2N 3821 LF amplification Y21s 3-6,5 mS 2N 3822 Amplification BF 3,5 - 6,5 mS 2N 3823 3 pF max 2N 3821 C1255 3 pF max 2N 3822 2 pF max 2N 3823 Maximum power dissipation , 200 nV/ VHz max 2N 3821 pspation de puissance maximale e, (10 Hz) 200 nV/ \/Hz max 2N 3822 (mw) F(100MHz) 2,5 dB max - 2N 3823 300 b N Case TO-72 See outline drawing CB-4 on last pages I N\ Boitier Voir dessin cot CB-4 dernires pages 200 N\ NM Bottom view 100 N\ Vue de dessous fo Mm os 0 5 190 160 200 7, (C) D Weight 0,7 Connection M is connected to case Masse 9g La cannexion M ast relie au boitier ABSOLUTE RATINGS ( LIMITING VALUES ) T _ ( unless otherwise stated ) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION amb = + 25 C { sauf indication contraire ) 2N 3821 2N 3822 2N 3823 Drain source voltage Tension drain source Vos 50 30 v Gate source voltage Tension grille source Ves 50 30 v Gate drain voltage Tension grille drain Vep 50 30 v Gate current Courant de grille Ig 10 10 mA Power dissipation Dissipation de puissance Prot 300 300 mw Junction temperature Temprature de jonction max y; +475 +175 c Storage temperature min 65 - 65 C Temprature de stockage max T stg + 200 + 200 c 75-47 1/4 THOMSON-CSF DIVISION. SEMICONOUCTEURS Sesesenm 72N 3821, 2N 3822, 2N 3823 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = + 25C ( unless otherwise stated ) ( sauf indication contraire } Test conditions . Conditions de mesure min | typ | max Vps= 0 2N 3821 0,1 | nA Total leakage gate current Ves = 30V 2N 3822 O04 | nA Courant de fuite total de grille IGss Vos = 0 Vos= -20V 2N 3823 0,5 | nA Vps = 0 Vee = 30V 2N 3821 100 | nA tamb= 150 oc 2N 3822 ~- 100 | nA Total leakage gate current Courant de fuite total de grille Vps = 0 IGss Ves = -20V 2N 3823 500 | nA tamb= 150C 2N 3821 - Gate source breakdown voltage Vps = 0 80 V Gate source b - Vos= 0 viprycss| 2 3822 | 50 v ension de claquagegrillesource ||G = ~14 2N 3823 30 Vv 2N 3821 0,5 2,5 mA Drain current Vos = 15V Incs* 2N 3822 2 10 | mA Courant de drain Ves = 0 DSS 2N 3823 4 20 | mA 2N 3821 ~4 1V Gate source cut-off voltage Vos = 15V 2N 3822 - Vv 6 v Tension grille-source de blocage | 'D = 0,5nA GSoff 2N 3823 ~8 |v Vos = 15V Ip = 50 uA 2n 3821 | -06 -2 |v Gate source voltage Vos = 18V Vv Tension grille source Ip = 200uA Gs 2N 3822 71 4 ) Vps = 15V ie = 400 pA 2N 3823 | -1 -7,5.]V * Pulsed *Impulsion *P <300 ys 6 2% 2/4 7722N 3821, 2N 3822, 2N 3823 DYNAMIC CHARACTERISTICS ( for small signals ) (untess otherwise stated ) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES ( pour petits signaux } Tamb = + 25 C ( sauf indication contraire } amb Tast conditions . Conditions de mesure min tye max . Vos= 15V 2N 3821 6 pF Input capacitance Ves= 0 C1155 2N 3822 6 pF Capacit dentre f= Mhz 2N 3823 6 pF Vps= 16V 2N 3821 3 pF Reverse transfer capacitance Ves= 0 C12ss 2N 3822 3 | pF Capacit de transfert inverse f = 1MMz 2N 3823 2 pF Vps= 15V Input admittance Ves= 0 RelY1isl_ | 2N 3823 800 | HS Admittance dentre f = 200MHz Vpos= 15V 2N 3821 1,5 4,5 {ms Ves= 0 2N 3822 3 65 | mS f = 1kHz 2N 3823 3,5 6,5 | mS Forward transfer admittance lyo1sl 7 Admittance de transfert direct Vps= 15V 2N 3821 15 mS Ves= 0 2N 3822 3 mS f = 200MHz 2N 3823 3,2 mS / Vps= 15V 2N 3821 10 [us Output admittance Ves= 0 l22s| | 2N 3822 20 | us Admittance de sortie f = kHz 2N 3823 36 | us ; Vps= 15V Output admittance Vgs= 0 Re ly2asl 2N 3823 200 | us Admittance de sortie f = 200MHz Vos= 18V Noise figure Ves= 0 Facteur de bruit Rg = 1ka F 2N 3823 26 | 8 f = 100 MHz Vpos= 15V Equivalent reverse voltage Ves =0 en 2N 3821 200 |v Tension quivalente de bruit f = 10Hz 2N 3822 200 | VHz 3/4 7732N 3821, 2N 3822, 2N 3823 STATIC CHARACTERISTICS DYNAMIC CHARACTERISTICS ( for small signals ) CARACTERISTIQUES STATIQUES CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES ( pour petits signaux) Ip 21 (m$)| Vpsg = 15 V (mA) 5 f = 1kHz 2 401 5 2 100 5 2 1071 5 2 1972 2 468 2 468 2 468 0 ' 2 3 - Ves (V) 102 to! 10 ip (mA) DYNAMIC CHARACTERISTICS { for smail signals } CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES ( pour petits signaux } \va1 s| (mS), 6 en (nV/V Hz) 4 104? * sz) 2 5 2 102 103 1? 10! 102 f (MHz) 10 4/4 774