European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Marketing Information
FZ 800 R 12 KF 4
external connection to be
done
external connection to be
done
M8
M4
61,5
18
130
31,5
28
716,5
18,5
C
E
C
E
EG
C
2,5
114
screwing depth
max. 8
A15/97 Mod-E/ 21.Jan 1998 G.Schulze
C
E
G
E
C
E
C
FZ 800 R 12 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannungcollector-emitter voltageVCES 1200 V
Kollektor-DauergleichstromDC-collector currentIC800 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current tp=1 msICRM1600 A
Gesamt-Verlustleistungtotal power dissipation tC=25°C, Transistor /transistorPtot5400 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltageVGE± 20 V
DauergleichstromDC forward currentIF800 A
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp=1msIFRM1600 A
Isolations-Prüfspannunginsulation test voltageRMS, f=50 Hz, t= 1 min.VISOL2,5kV
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistormin. typ.max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannungcollector-emitter saturation voltageiC=800A, vGE=15V, tvj=25°CvCE sat-2,7 3,2V
iC=800A, vGE=15V, tvj=125°C-3,3 3,9V
Gate-Schwellenspannung gate threshold voltageiC=32mA, vCE=vGE, tvj=25°CvGE(th)4,5 5,5 6,5V
Eingangskapazitätinput capacityfO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V, vGE=0VCies-55 -nF
Kollektor-Emitter Reststromcollector-emitter cut-off currentvCE=1200V, vGE=0V, tvj=25°C iCES -11 - mA
vCE=1200V, vGE=0V, tvj=125°C-65 - mA
Gate-Emitter Reststromgate leakage currentvCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C iGES - - 400 nA
Emitter-Gate Reststromgate leakage currentvCE=0V, vEG=20V, tvj=25°C iEGS- - 400 nA
Einschaltzeit (induktive Last)turn-on time (inductive load)iC=800A,vCE=600Vton
vL= ± 15V, RG=1,8, tvj=25°C-0,7-µs
vL= ± 15V, RG=1,8, tvj=125°C-0,8-µs
Speicherzeit (induktive Last)storage time (inductive load)iC=800A,vCE=600Vts
vL= ± 15V, RG=1,8, tvj=25°C-0,9-µs
vL= ± 15V, RG=1,8, tvj=125°C-1,0-µs
Fallzeit (induktive Last)fall time (inductive load)iC=800A,vCE=600Vtf
vL= ± 15V, RG=1,8, tvj=25°C-0,10 -µs
vL= ± 15V, RG=1,8, tvj=125°C-0,15 -µs
Einschaltverlustenergie pro Pulsturn-on energie loss per pulseiC=800A,vCE=600V,Ls=70nHEon
vL= ± 15V, RG=1,8, tvj=125°C-130 - mWs
Abschaltverlustenergie pro Pulsturn-off energie loss per pulseiC=800A,vCE=600V,Ls=70nHEoff
vL= ± 15V, RG=1,8, tvj=125°C-120 - mWs
Charakteristische Werte / Characteristic values Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannungforward voltageiF=800A, vGE=0V, tvj=25°CvF-2,2 2,7V
iF=800A, vGE=0V, tvj=125°C-2,0 2,5V
Rückstromspitzepeak reverse recovery currentiF=800A,-di/dt = 4kA/µsIRM
vRM=600V, vGE=10V, tvj=25°C-280 -A
vRM=600V, vGE=10V, tvj=125°C-480 -A
Sperrverzögerungsladungrecovered chargeiF=800A,-di/dt = 4kA/µsQr
vRM=600V, vGE=10V, tvj=25°C-35 -µAs
vRM=600V, vGE=10V, tvj=125°C-100 -µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstandthermal resistance, junction to caseTransistor / transistor, DC RthJC0,023 °C/W
Diode /diode, DC 0,044 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstandthermal resistance, case to heatsinkpro Modul / per ModuleRthCK0,01 °C/W
Höchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperaturepro Modul / per Moduletvj max150 °C
Betriebstemperaturoperating temperatureTransistor / transistortc op -40...+125 °C
Lagertemperaturstorage temperaturetstg -40...+125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlagecase, see appendixSeite/page 1
Innere Isolation internal insulation AI2O3
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigungmounting torque terminals M6 / tolerance +/-15%M1 5 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsseterminal connection torque terminals M4 / tolerance +/-15%M2 2 Nm
terminals M8 8...10 Nm
Gewichtweight G ca. 1500 g
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µsVCC = 750 V
vL = ±15 VvCEM = 900 V
RGF = RGR = 1,8iCMK1 7000 A
tvj = 125°CiCMK2 6000 A
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditionsCEM
= VCES - 15nH x |dic/dt|
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
v
FZ 800 R12 KF4
FZ800R12KF4
iC
[A]
Bild/Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch)
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
VGE = 15V
----- Tvj = 25 °C
___ Tvj = 125 °C
v CE [V]
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
0
200
1000
1200
1400
1600
400
600
800
FZ800R12KF4
iC
[A]
Bild/Fig. 3
Übertragungscharakteristik (typisch)
Transfer characteristic (typical)
VCE = 20 V
v GE [V]
5 6 7 8 9 10 11 12
0
200
1000
1200
1400
1600
t vj =
125 °C
25 °C
400
600
800
FZ800R12KF4
iC
[A]
Bild/Fig. 4
Rückwärts-Arbeitsbereich
Reverse biased safe operating area
tvj = 125 °C, vLF = vLR = 15 V, RG = 1,8
v CE [V]
0
0
800
1200
1600
2000
200 12001000 1400
400
400 600 800
FZ800R12KF4
iC
[A]
Bild/Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch)
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
Tvj = 125 °C
v CE [V]
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
0
200
1000
1200
1400
1600
400
600
800
VGE=20V15V
12V
10V
9V
8V
FZ 800 R12 KF4
FZ800R12KF4
Z(th)JC
[°C/W]
Bild/Fig. 5
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig (DC)
Transient thermal impedance per arm (DC)
10-32 4 10-210-1100
10-3
10-2
2
3
5
2 4 2 4 2
t [s]
101
4
IGBT
Diode
FZ800R12KF4
iF
[A]
Bild/Fig. 6
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward characteristic of the inverse diode (typical)
tvj = 25 °C
tvj = 125 °C
v F [V]
0
200
1000
1200
1400
1600
1.0 1.5 2.0 2.50.5 3.0
400
600
800
10-1
2
3
6
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