PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE ESM 261 TRANSISTORS DARLINGTON SILICIUM PNP, BASE EPITAXIEE ESM 262 Compi. of ESM 217, 218 PRELIMINARY DATA NOTICE PRELIMINAIRE - Monolithic construction Construction monolithique V { -60V ESM 261 - High current switching with high CEO 80V ESM 262 current gain Ic -10A Commutation de forts courants avec un Prot 7OW gain en courant lev : LF Reh(j-c) 1,8C/W max - complementary power stage : Etages de puissance BF complmentaires ho4 e(5 A) 1000 min fr 1 MHz min Dissipation derating Plastic case TO-220 AB See outline drawingCB-117on tast pages Variation de dissipation Boitier plastique Voir dessin cot CB-117 dernires pages 100 he | 75 +N | | 50 t | { 25 t t | o t Weight: 29 Collector is connected to case $0 100 180 teagel(C) Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES} tease = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION as (Sauf indications contraires) ESM 261 ESM 262 Collector-base voltage Vv a ~ Tension collecteur-base CBO 60 80 v Collector-emitter voltage Vv _ _ Tension collecteur-metteur CEO 60 80 V Emitter-base voltage _ _ Tension metteur-base v EBO 5 5 v Collector current lo ~10 ~10 A Courant collecteur Base current Courant base B G,2 0,2 A Power dissipation P. Dissipation de puissance tot 70 70 WwW Junction temperature t Temprature de jonction max J 150 150 C Storage temperature min te 65 ~65 c Temprature de stockage max stg +150 +150 74-10 V/2 THOMSON - CSF sreion SEC OMeUETEUS, 921ESM 261, ESM 262 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES toase = 25C (Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires} Test conditions Min. Typ. Max. Conditions de mesure Veep =-60V ! cs =0 ESM 261 0,4 mA E Collector-base cut-off current \ Courant rsiduel collecteur-base cBO Vv =-80V cB ESM 262 -0,4 mA le =0 Emitter-base cut-off current Veg =-SV Courant rsiduet metteur-base lo = lEBo 2 mA Coilector-emitter breakdown voltage lc = 100 mA Vv ~ | ESM 261| 60 Vv Tension de claquage collecteur-metteur le =0 CEO(sus) ESM 262 | 80 Vv Static forward current transfer ratio Voge = -3V * Valeur statique du rapport de transfert Cc _ A hoq E 1 000 direct du courant Ie =5 Collector-emitter saturation voltage Ic =5A Vv ak 2,5 Vv Tension de saturation colfecteur-6metteur Ip =-0,02A CEsat Base-emitter voltage Voge = 3V Voc 3 Vv Tension base-metteur lo = 5A BE DYNAMIC CHARACTERISTICS (for smail signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) VcE =-3V Transition frequency _ Frquence de transition Io = 5A tr 1 MHz f = 1 MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES dJunction-case thermal resistance Reh(j-c) 1,8 c/w Rsistance thermique (janctian-bol tier} * Pulsed imputsions t, = 300 us p 6 < 2% 2/2 922