Semiconductor Group 1 1997-11-19
Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit
Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code
BPW 34 B Q62702-P945
BPW 34 B
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 350 nm bis 1100 nm
●Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns)
●DIL-Plastikbauform mit hoher
Packungsdichte
●SMT-Variante auf Anfrage
Anwendungen
●Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb im sichtbaren
Lichtbereich
● Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●Especially suitable for applications from
350 nm to 1100 nm
●Short switching time (typ. 25 ns)
●DIL plastic package with high packing
density
●SMT version on request
Applications
●Photointerrupters
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
GEO06643
4.0
3.7 4.3
4.5
5.4
4.9
0.6
0.4
0.6
0.4
1.2
0.7
0.3
0.5
0.8
0.6
Cathode marking
0.6
0.8
1.9
2.2
3.0
3.5
0.6
0.4
Chip position
0.4
0.6
0.35
0.2
0 ... 5˚
5.08 mm
spacing
Approx. weight 0.1 g
1.4
Photosensitive area
2.65 mm x 2.65 mm
1.8
feo06643
BPW 34 B
Semiconductor Group 2 1997-11-19
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 ... + 85 °C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t≤ 3 s)
TS230 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR32 V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation Ptot 150 mW
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V
Spectral sensitivity S75 nA/Ix
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ350 ... 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A7.45 mm2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L×B
L×W
2.73 ×2.73 mm ×mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H0.5 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±60 Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current IR2 (≤ 30) nA
BPW 34 B
Semiconductor Group 3 1997-11-19
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 400 nm
Spectral sensitivity Sλ0.2 A/W
Quantenausbeute, λ = 400 nm
Quantum yield η0.62 Electrons
Photon
Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix
Open-circuit voltage VO390 mV
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
Ee = 0.5 mW/cm2,λ = 400 nm
ISC 7.4 (≥ 5.4) µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
tr,tf25 ns
Durchlaßspannung, IF= 100 mA, E = 0
Forward voltage VF1.3 V
Kapazität, VR= 0 V, f= 1 MHz, E = 0
Capacitance C072 pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV– 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
TCI0.18 %/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR= 10 V, λ = 400 nm
NEP 1.3 ×10– 13 W
√Hz
Nachweisgrenze, VR= 10 V, λ = 400 nm
Detection limit D* 2.1 ×1012 cm · √Hz
W
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) (cont’d)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
BPW 34 B
Semiconductor Group 4 1997-11-19
Directional characteristics Srel =f (ϕ)
OHF01402
90
80
70
60
50
40 30 20 10
20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0
ϕ
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100 0
0
0
Relative spectral sensitivity
Srel =f (λ)
Dark current
IR=f (VR), E = 0
Photocurrent IP=f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit voltage VO=f (Ev)
Capacitance
C=f (VR), f = 1 MHz, E = 0
Total power dissipation Ptot =f (TA)
Dark current
IR=f (TA), VR= 5 V, E = 0
λ
OHF01001
0
rel
S
400 600 800 1000 1200
20
40
60
80
%
100
nm
0
OHF00080
Ι
R
R
V
0 5 10 15 V 20
1000
2000
3000
4000
pA
E
OHF01066
V
0
10
P
Ι
-1
10 10
1
10
2
10
4
10
0
10
1
10
2
10
34
10
3
10
2
10
1
10
10
0
V
µ
AmV
Ι
P
V
O
10
3
lx
V
OHF00081
R
-2
10
C
0
-1
10
0
10
1
10
2
10V
10
20
30
40
50
60
70
80
pF
100
T
OHF00958
A
0
tot
P
020 40 60 80 ˚C 100
mW
20
40
60
80
100
120
140
160
T
OHF00082
A
-1
10 0
R
Ι
10
0
10
1
10
2
10
3
nA
20 40 60 80 ˚C 100
