BAS70, BAS70-04, BAS70-05, BAS70-06 BAS70, BAS70-04, BAS70-05, BAS70-06 IFAV = 70 mA VF1 < 0.41 V Tjmax = 150C SMD Small Signal Schottky Diodes SMD Kleinsignal-Schottkydioden VRRM = 70 V IFSM = 100 mA trr < 5 ns Version 2017-07-07 Typical Applications Signal processing, High-speed switching, Polarity protection Commercial grade 1) 0.4 Type Code 1 1.3 0.1 2.4 0.2 3 2 1.9 Besonderheiten Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschicht-Kapazitat Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE Features Very high switching speed Low junction capacitance Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) +0.1 1.1 -0.2 2.9 0.1 +0.1 -0.05 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schnelles Schalten, Verpolschutz Standardausfuhrung 1) EL V SOT-23 (TO-236) Mechanical Data 1) 0.1 Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7" Weight approx. Dimensions - Mae [mm] Gegurtet auf Rolle 0.01 g Solder & assembly conditions Gewicht ca. 260C/10s Lot- und Einbaubedingungen MSL = 1 BAS70 BAS70-04 3 Type Code 73 Single Diode 1 2 3 Type Code 74 Series Connection 1 2 1 = A 2 = n. c. 3 = C 1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2 BAS70-05 BAS70-06 3 Type Code 75 Common Cathode 1 2 3 Type Code 76 Common Anode 1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2 1 2 1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Power dissipation - Verlustleistung 3) Max. average forward current - Dauergrenzstrom DC Repetitive peak forward current - Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current - Stostrom-Grenzwert Repetitive peak reverse voltage - Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur 1 2 3 4 tp 1 s Ptot 200 mW 4) IFAV 70 mA 4) IFRM 70 mA 4) IFSM 100 mA VRRM 70 V Tj TS -55...+150C -55...+150C Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25C and per diode, unless otherwise specified - TA = 25C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben Total power dissipation of both diodes - Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAS70, BAS70-04, BAS70-05, BAS70-06 Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25C IF = 1 mA IF = 15 mA VF VF < 410 mV < 1000 mV Leakage current Sperrstrom Tj = 25C VR = 50 V IR < 100 nA 1) Breakdown voltage Abbruchspannung Tj = 25C IR = 10 A VBR > 70 V 1) CT 2 pF trr < 5 ns Max. junction capacitance Max. Sperrschichtkapazitat VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time Sperrverzug IF = 10 mA uber/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient Warmewiderstand Sperrschicht - Umgebung RthA < 625 K/W 2) 120 [%] [A] 100 80 60 40 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [C] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Power dissipation versus ambient temperature 2) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.2) 2 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhaltnis 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG