NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE TRANSISTORS DARLINGTON NPN SILICIUM, BASE EPITAXIEE Compl. of ESM 159, ESM 160 ESM 113 ESM 114 - Monolithic construction Construction monolithique - Compiementaries of ESM 159, 160 Complmentaires des ESM 159, 160 - Generat purpose amplifier application (D.C and. AR) Usage gnral pour amplification {continue et BF) Dissipation and Ig/p derating Variation de dissipation et de I g/g 100 TKR 75 XN 30% PRELIMINARY DATA NOTICE PRELIMINAIRE Vv 60 V ESM 113 CEO anv ESM 114 Ic 5A Prot 90 W Rthij-c) 1-95 C/W max. hoiE (3A) 1000 min. fr 1 MHz min, Case TO-3 ~ See outline drawing CB-19.0n last pages Boitier Voir dessin cot CB-19 dernires pages Bottom view Vue de dessous E 26 a Weight : 14,4 g. Collector is connected to case 50 100 150 toose (c) Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION case (Saut indications contraires} ESM 113 ESM 114 Fenton cotectourbees Vepo 60 80 v Foam codecasursimttecr Vceo 60 80 v Faosion dracon nae VeBo 5 5 v Courant coleetur lc 5 5 A eet de cede oe celectour tp = 10.ms om 9 9 A Curent base, 'p 0,1 0,1 A Co ea os ab ni ncance toase = 25C Prot 90 90 w Jompareture de janction max. yi 200 200 C Storage temperature min. t 65 65 C Temprature de stockage max. stg +200 +200 74-1 7 THOMSON - CSF DivisiON_SEMICONOUCTEUAS RSVR 869ESM 113, ESM 114 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. =30V Voge = 30 ESM 113 06 mA Ig =0 Collector-emitter cut-off current IcEO Courant rsiduef collecteur-metteur v =40V oe ESM 114 08 mA B = Vee = 60V ESM 113 0,2 mA le +0 Veg = 60V Ip =0 ESM 113 2 mA tease = 150C Collector-base cut-off current l Courant rsiduel collecteur-base CBO Vep =80V ESM 114 0,2 mA le =0 Vop =80V le = ESM 114 2 mA tease = 150C wear. ; Veg =5V Emitter-base cut-off current ! 0 lepo 2 mA Courant rsiduel metteur-base Cc = = 100 mA Ic " ESM 113| 60 Vv Ip =0 Collector-emitter breakdown voitage VEO (sus) * Tension de claquage collecteur-metteur \ =100 mA c * ESM 114] 30 Vv Ip = 0 Voce = ; r 1000 Static forward current transfer, ratio Ig HSA * Valeur statique du rapport de transfert hoy E direct du courant Vv =3V \ ce 4A 750 c= Collector-emitter saturation voltage Ie HSA VoEsat * 2 V Tension de saturation collecteur-metteur lp =6,012A Base-emitter voltage Veg =3V Vv * Tension base-metteur Ip =3A BE 25 v Pulsed tp =300us 8 <2 % impulsions 27 870ESM 113, ESM 114 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals} (Unless otherwise stated} CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) (Saut indications contraires} Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vce =3V Transition frequency Il =3A fy 1 MHz Frquence de transition c =1MHz Junction-case thermal resistance Rows: | Rsistance thermique (jonction-boitier} | th{j-<) | 1,95 ecw SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit c (A) 50 20 ESM 113 = 25C Tease Continuous 1 continu Pulsed impulsions 0,5 0,2 0,1 1 2 5 10 20 50 Vg tv) 871ESM 113, ESM 114 SAFE OPERATING AREA Aire de fonetionnement de scurit ESM 114 tease = 25C Continuous En contin = Pul sed eh ee oe ee tmpulsions 5 10 20 50 Vogl! 47 872ESM 113, ESM 114 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension (A) tA) COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension collecteur-6metteur hy 4 A 4 Vor {Vv) 0 4 8 12 16 Voge (v) STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du 91 courant en fonction du courant collecteur Voge =3V 8000 6000 2000 2 468 10 1g (A) 468 ,2 468 2 107 10 5/7 873ESM 113, ESM 114 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de Ia tension base- |g metteur cE =3V / COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de /a tension |, base-metteur (AL Yog = 6 Vv a lal 2 10 8 6 4 2 107! 8 6 4 2 10? o 1 1,5 2 2,5 Veg (Vv) 0,5 1 1,5 2 2,5 Vee (Vv) COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT ON VOLTAG VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation collecteur-metteur en Tension de saturation base-metteur en v f jon du Vv , fonetion du courant collecteur CEsat a 7 rial (v) c c | = = 250 is 250 is 3 3 / 25 25 V /|i 2 Sey 2 df al @ jj 15 = y. 15 2 wey V, J Fc 08 ae Z 7 i V4 LY 1 at 1 Le t = 28C La 2 128 = 4# oa * co88 re] post Leann) 0,5 tt 0,5 0 8 2 468 2 468 052 468 ,2 4 0 2 468, 102 10 10 IQ (A 10 10 10 c 6/7 874ESM 113, ESM 114 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES OUTPUT CAPACITANCE VERSUS ANSITION FREQUENCY VERSUS COLLECTOR-BASE VOLTAGE COLLECTOR CURRENT Capacit de sortie en fonction de fa Frquence de transition en fonction du c tension collecteur-base $_ courant collecteur T t = case Vog = 10V. ESM 113 114 (A) 10! T i 12 tylsec) 107 5 2 5 2 5 2 8 wo ot 103 10?" 10 W? 875