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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 3101N
BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller 1/9 Seite/page
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektri sch e Eig ens chaf ten / Ele ctric al properti es
Höchstzul ässige Werte / M aximum rated values
Periodische V orwärts- und Rüc kwärts-S pitze nsperrspan nu ng
repetiti ve p eak f orward off-state an d re vers e volt ag es
Tvj = -40°C... Tvj max V
DRM,VRRM 400 0
4400
4200
V
V
V
Periodische V orwärts- und Rüc kwärts-S pitze nsperrspan nu ng
repetiti ve p eak f orward off-state an d re vers e volt ag es
Tvj = 0°C... Tvj max V
DRM,VRRM 410 0
4500
4300
V
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
ma xi mu m RMS o n- stat e cur r e nt
I
TRMSM 683 0 A
Dauergrenzstrom
average on-state c urrent
TC = 85 °C
TC = 60 °C
ITAVM 316 0
4350
A
A
Ststrom-Grenz wert
surge current
Tvj = 25 °C, t P = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM 87000
83000
A
A
Grenzlastin teg ral
t-value
Tvj = 25 °C, t P = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
t 37800
34000
10³ A²s
10³ A²s
Kritische Str omst eilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
(diT/dt)cr 300 A/µs
Kritische S pa nnu ng ssteilh eit
critical rate of rise o f of f-stat e volt ag e
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kenn buc hstabe / 5th letter H
(dv
D/dt)cr
2000
V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlspa nn ung
on-stat e voltag e
Tvj = Tvj max , iT = 400 0A
vT
typ.
ma x.
1,6
1,7 5
V
V
Schleus ens pann ung
thresh old voltag e
Tvj = Tvj max V
(TO) typ.
ma x.
0,9
1,0 1
V
V
Ersatzwi dersta nd
slope resist anc e
Tvj = Tvj max r
T typ.
ma x.
0,1 75
0,1 85
m
m
A -0,1
B 0,0001 22
C 0,138
typ.
D 0,0009 57
A -0,1
B 0,0001 08
C 0,139
Durchlaßkennlinie
on-stat e c haract eristic
Tvj = Tvj max
ma x.
D 0,0040 2
Zündstr om
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 12 V IGT ma x. 350 mA
Zünds pa nnung
gate trigger volt age
Tvj = 25°C, vD = 12 V VGT max. 2,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD ma x.
ma x.
20
10
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trig g er volt ag e
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM V
GD max. 0,4 V
Haltestrom
holding curre nt
Tvj = 25°C, vD = 12 V IH max. 350 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK 10
iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
IL max. 3 A
Vorwärts- undckwärts-Sperrstrom
forward o ff-stat e and reverse c urrent
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR max. 600 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
Tvj
= 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
tgd max. 2 µs
prepar ed by: C. Schneid er dat e of publicatio n: 2005-04-1 5
appro ved b y: J. Przybilla revision: 6
T
TTT iD)1i(LnCiBAv ++++=
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Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektri sch e Eig ens chaften / Ele ctric al propert i es
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 1 00 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 As
4.Kenn buc hstabe / 4th letter O
tq
typ. 400 µs
Sperr verzög erung sladu ng
recovered charge
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 As
VR = 0,5VRRM, VRM = 0, 8VRRM
Qr
ma x. 15 mAs
Rückstr omspitze
peak re verse r eco ver y c urrent
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 As
VR = 0,5VRRM, VRM = 0, 8VRRM
IRM
max. 310 A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junc tion to c ase
Kühlfläc he / cooling surfac e
beids eitig / two-side d, θ = 1 80°sin
beids eitig / two-side d, DC
Ano de / a no de, DC
Kathod e / c at hod e, DC
Rth J C
ma x.
ma x.
ma x.
ma x.
0,0 054
0,0 05
0,0 09
0,0 112
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewi derstand
thermal resistance, case to heatsi nk
Kühlfläc he / cooling surfac
e
beids eitig / two-side d
einseitig / sing le-side d
Rth C H
ma x.
ma x.
0,0 015
0,0 03
°C/W
°C/W
Höchstzul ässige Sperrschichttemperatur
maxi mu m ju nction te mperat ure
T
vj max 125 °C
Betriebs te mperatur
opera ting te mperat ure
T
c op -40...+125 °C
Lagerte mperatur
storage t emperat ure
T
stg -40...+150 °C
Mechanis che Eigen schaf ten / Mech anic al prope rties
Geh äuse , sie he Anlag e
case, s ee annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druc kkont akt
Si-pellet with press ure contac t
Anpress kraft
clampi ng force
F 63.. .91 kN
Steueransc hlüss e
control t erminals
DIN 46244 G ate
Kathode /Cathode
A 4, 8x0, 8
A 6, 3 x0, 8
Gewic ht
weig ht
G typ. 3000 g
Kriechstrec ke
creepage distance
49 mm
Schwingfestigkeit
vibration r esistanc e
f = 50 Hz 50 m/s²
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Maßbild
12
4 5
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
4: Gate
5: Hilfskathode/
Cathode (control terminal)
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R,t Werte
R
R,T-Werte
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
RthnC/W] 0,0 0158 0,00216 0,0004 2 0,0 005 5 0,0 002 9
beidseitig
two-sided τn [s] 2,05 0,25 0,0 9 0,0 195 0,0 055
RthnC/W] 0,0 0558 0,00216 0,0004 2 0,0 005 5 0,0 002 9
anodenseitg
anode-sided τn [s] 7,2 0,2 5 0,0 9 0,0 195 0,0 055
RthnC/W] 0,0 0778 0,00216 0,0004 2 0,0 005 5 0,0 002 9
kathodenseitig
cathode-sided τn [s] 10 0,25 0,0 9 0,0 195 0,0 055
Analytische Funktion / Analytical function: Σ= τ
ma x
n
n=1 thnthJC n
-t
e1RZ
0
0,002
0,004
0,006
0,008
0,01
0,012
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]
Zth J C [K/W]
c
a
d
Transienter innerer Wärmewiderstandr DC/ Transient thermal impedance Z th J C = f(t) for DC
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
00,511,522,5
vT [V]
iT [V]
typ m ax.
Grenzdurchlkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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Durchlassverluste
30
20
10
5
2
1
0,5
0,2
10 1000050002000
5020 100 200 500 1000
iG [m A]
vG [V]
+125°C
+25°C
-40°C
a
b
c
Steuercharakteristik vG = f (iG) mitndbereichen für VD
= 6 V
Gate characteristic vG = f (i G) with triggering area for VD = 6 V
Höchstzulässige Spitzensteuerv erlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
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Tc beidseitig
0
5
10
15
20
25
30
0 5 10 15 20 25 30 35
-di/dt [A/µs ]
Qr
[mAs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
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Ta bei Sinus
0
10 0
20 0
30 0
40 0
50 0
60 0
70 0
80 0
0 5 10 15 20 25 30 35
-di/dt [A/µs ]
I
RM [A]
Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
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