AL1A ... AL1M
AL1A ... AL1M
Surface Mount Controlled Avalanche Rectifier Diodes
Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage mit kontrolliertem Durchbruchsverhalten
Version 2012-12-17
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current – Nennstrom 1 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Plastic case MiniMELF
Kunststoffgehäuse MiniMELF
DO-213AA
Weight approx. – Gewicht ca. 0.04 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Marking: 1. white ring denotes “cathode” and “standard rectifier family”
2. colored ring denotes “repetitive peak reverse voltage” (see below)
Kennzeichnung: 1. weißer Ring kennzeichnet “Kathode” und “Standard-Gleichrichter”
2. farbiger Ring kennzeichnet “Periodische Spitzensperrspannung” (siehe unten)
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Reverse avalanche breakdown voltage
Sperrspannung im Durchbruch
VRSM [V] 1)
2. Cathode ring
2. Kathodenring
AL1A 50 > 75 gray / grau
AL1B 100 > 150 red / rot
AL1D 200 > 250 orange / orange
AL1G 400 > 450 yellow / gelb
AL1J 600 > 650 green / grün
AL1K 800 > 850 blue / blau
AL1M 1000 > 1100 violet / violett
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 75°C IFAV 1 A2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 27/30 A
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 3.6 A2s
Non-repetitive peak reverse avalanche energy
Einmalige Impulsenergie in Sperr-Richtung
IRSM = 1 mA
TA = 25°C
ERSM 20 mJ
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
1 IRSM = 1 mA, TA = 25°C
2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
0.4 0.4
1.6
3.5
AL1A ... AL1M
Characteristics Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C IF = 1 A AL1A...G
AL1J...M
VF
VF
< 1.2 V
< 1.3 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 3 µA
< 50 µA
Typical reverse recovery time
Typische Sperrverzugszeit
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
trr 1.5 µs
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 75 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthT < 40 K/W
1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
30a-(1a-1.2v)
