Technische Information / Technical Information
Puls P ower Abblockdiode
Puls P o wer Blocking Diode D 2601 NH 90 T
Vorläufige Daten
Preliminary Data
PM BIP / 2000-05-03 Keller Release 2 Seite/ page
N
1
Features:
• High surge current for Puls Power applications • High di /dt at turn-off
• High reverse voltage
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchst zul ässige Werte / Maximum rat ed val ues
Periodis che Spitzens perrspannung
repetiti ve peak reverse voltage Tvj = -40°C ... Tvj max
f = 50Hz VRRM 9000 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current TC = 60°C, f = 50Hz IFRMSM 2900 A
Dauergrenzstrom
mean f orward current TC = 85°C, f = 50Hz
tC = 60°C, f = 50Hz IFAVM 1500
1850 A
A
tvj = 25°C, trise = 8µs, tfall = 20µs
VR = 1500V IFSM 80 kA
tvj = 40°C, tp = 10ms
VR = 8500V IFSM 32 kAStoßstrom-Grenzwert
surge forward current
tvj = 25°C, tp = 10ms
tvj = tvj max, tp = 10ms IFSM 47
45 kA
kA
Grenzlastintegral
I2t-value tvj = 25°C, tp = 10ms
tvj = tvj max, tp = 10ms I2t 13,5 * 106
12,5 * 106A2s
A2s
Charakteristische Werte / Charac t e ri stic values
Durchlaßspannung
forward voltage tvj = tvj max, iF = 4000 A vFmax. 4,9 V
Schleusenspannung
threshold vol tage tvj = tvj max V(TO) 1,04 V
Ersatzwiderstand
forward slope resistance tvj = tvj max rT0,96 mΩ
Durchlaßrechenkennlinie 500 A ≤ iF ≤ 5000 A
On-stat e characteris tics f or calculat i on
()
VABiCi Di
FFF F
=+⋅+⋅ ++⋅ln 1
tvj = tvj max A
B
C
D
max.
0,71826748
0,00072434
–0,00378418
0,02095741
Sperrstrom
reverse current tvj = tvj max, vR = VRRM iR100 mA
Rückstromspitze
peak reverse rec o very current IRM 1700
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
tvj = tvj max VR = 2000V
R = 12Ohm, C = 1µF
iFM = 2500A, -diF/dt = 1000A/µs Qr16000
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Vorläufige Daten
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2
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärm ewiderstand
therm al resistanc e, junction to case beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
RthJC max
max
max
0,0075
0,0141
0,0160
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
therm al resistanc e, case to heatsink Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
RthCK max
max 0,0025
0,005 °C/W
°C/W
Höchst zul ässige Sperrschicht temperatur
max. junction tem perature tvj max 140 °C
Betriebstemperatur
operating temperature tc op -40...+140 °C
Lagertemperatur
storage t emperature tstg -40...+140 °C
Mechanische E i genschaften / Mechanical properti es
Gehäuse, s i ehe A nl age
case, see appendix Seite 3
Si - Element mit Druckkontakt
Si - pellet with pressure cont act 76DNH90
Anpreßkraft
clamping force F 36...52 KN
Gewicht
weight Gtyp 1200 G
Kriechstrecke
creepage distance 30 Mm
Luftstrecke
air dist ance 20 Mm
Feuchteklasse
humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit
vibration res i stance f = 50Hz 50 m/s2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Outline Drawing
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4
On-State Characteristics ( v F )
upper limit of scatter range
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
01234567
VF / [V]
Tvj =140°C
max.
Tvj =140°C
ty p.
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Transient thermal Impedance for constant-current
doppelseitige
Kühlung anodenseitige
Kühlung kathodenseitige
Kühlung
r [K/W ] [s] r [K/W ] [s] r [K/W ] [s]
1 0,0015 1,38 0,0081 9,8 0,01 10,2
2 0,0023 0,185 0,0023 0,185 0,0023 0,185
3 0,0022 0,07 0,0022 0,07 0,0022 0,07
4 0,001 0,01 0,001 0,01 0,001 0,01
5 0,0005 0,0018 0,0005 0,0018 0,0005 0,0018
0,0075 - 0,0141 - 0,016 -
()
ZRe
thJC thn t
n
nn
=⋅−
−
=
å1
1
/
max
τ
